И снова о типовых приколах P4P800-x (part 2)

Спасибо, батенька!

А даташиты на все транзюки, влепленные в сию и многие другие платы, у меня имеются. От какого же именно параметра, кроме макс. тока и сопротивления открытого канала, зависит их способность мрачно греться?

Давайте к цифрам! Анпек 2014N, который там и торчал, имеет следующие параметры: 20V 40A, Rds (ON) 12...18 mOhm, Pd 50W при монтаже на радиаторе и 2,5W при монтаже на плату с покрытием в 1 кв. дюйм.

PHP96NQ03LT, кроме бОльшей площади, имеет такие параметры: 25V 75A, Rds 4,2...5,6 mOhm, Pd 115W или (по графику) ок. 70W при нагреве до 60 градусов.

Каким же чудом PHP96NQ03LT умудряется разогреваться сильнее, чем чахлый APM? В чём тут фокус?

Давайте.

Сколько именно Ваших ошибок, замеченных в Вашем же сообщении, следует назвать?

Изучайте даташиты, подчёркиваю. Учитесь отличать MOS-FET от TrenchMOS-FET и т.д.
Впрочем, починили - радуйтесь...

Erstmann

Моя плакалЪ. Ну, давайте - расскажи-те нам, чем же HexFET отличается от TrenchMOS и пр.?
Мое мнение таково - это все всего лишь товарные марки MOSFET'ов. Потому что каждая фирма использует чуть отличающуюся технологию их изготовления. Нам, как пользователям, это торговое наименование ДО ЛАМПОЧКИ. А реально должно волновать - параметры самого полевого транзистора.

Касательно того, почему полевые транзисторы греются - ИМХО, это происходит из-за наличия сопротивления у канала. С другой стороны, очевидно, что линейный стабилизатор на ОУ+полевом транзисторе работает так, что ОУ корректирует напряжение на затворе до тех, пока на транзисторе не будет нужного нам падения. Поэтому - глубоко параллельно какие MOSFET'ы будут запаяны. И выделяемая мощность не зависит от транзистора...

rom.by/comment/192295

ну, и чего к человеку придираетесь? Он процитировал даташит

Давненько не заглядывал я в форум.
Впрочем, тут смотрю ничего сильно не изменилось, различные транзисторы в линейном стабилизаторе греются все так-же по разному...

ЗЫ: Сори за офтопик, не удержался

А еще транзисторы могут сильно калиться, если вдруг линейный стабилизатор возомнит себя генератором из-за изменения его режима (бОльшая крутизна х-ки свежеустановленного мосфета к примеру)...

NiTr0

ну, слава Богу - хоть кто-то придумал правильный вариант, когда произвольный мосфет не покатит

Вариантов может быть вообще-то много - к примеру, еще емкость затвора (вносящая совместно с выходным сопротивлением ОУ фазовый сдвиг), и Rds on (и как следствие - другое напряжение на выходе ОУ, и изменение емкости керамики Y5V в цепи ОС) теоретически могут привести к неправильной работе девайса в случае, если с родным мосфетом стабилизатор находился на грани стабильности... Но все зависит опять же от параметров элементов в стабилизаторе конкретного девайса; в общем случае - в линейнике с управлением на ОУ (с питанием от +12 ессно) с большой вероятностью будет нормально работать любой мосфет.

В самом деле, народ, при чём тут тип транзистора? Греться транзюки с одинаковыми параметрами будут одинаково, эт верно. А вот РАССЕИВАТЬ тепло большой и маленький корпуса будут по-разному. Вот этим я и хотел воспользоваться.

Между прочим, пакость сидела в операционнике и излечилась заменой оного. А "родные" транзюки я прикола ради впаивал на место - грелись так же адски. Посему окончательный вариант всё же IRLR - по даташиту у него при 100 градусах запас по току больше. На случай буде операционник опять завыделывается!

Arhimed2007

Вы в этом уверены? А исследования проводили?