MSI 7600GS DDR2 -референс. карточка в идеальном состоянии, ни сколов ни углей, комп её не определяет , то есть пищит. Замерял напряжение на памяти и чипе - 0 !??. ШИМ-ы на чип и память одинаковые - ISL6549 , напряжение на них есть(5,12 В) . На мосфеты +12В идет , но ничего не выходит. Вот . Пока не знаю что делать. Сталкивался ли кто с подобным ?
А вобще как сказали хозяева - карточка не вышла из ждущего режима. Думаю что может что-то с флешкой, но даже если так , то питание на памяти должно быть, я так думаю.
Раскопал вот что. На ШИМ питания проца FS_DIS идет не ноль, а такое же напряжения как и на рабочей карточке. И вобще в контрольных точках около FS_DIS и находящихся рядом мелких транзисторов напряжения такие же как и рабочей ВК. Но вот питания на проц нет. Обнаружил что на MOSFET -ы (управляемые ШИМ) , два AP4446, питание идет через еще один мощный транзистор - AP4410 , так вот этот транзистор неисправен. Опять же мерял сопротивление и сравнивал с рабочей ВК. Он звонится во все стороны по примерно 40 Ом - это ненормально. Меняю его на IRF7811AV . Результат - комп не включается (не стартует БП). БП уходит в защиту . Проверяю вновь припаянный транзистор - он уже тоже звонится во все стороны примерно по 200 Ом - тоесть негодный. Когда менял транзистор заменил сразу и ШИМ , на всякий случай. Вопрос , правильно ли я выбрал транзистор на замену AP4410 , и как быть дальше ?
Спасибо.
Еще хотел добавить. Схема подключения этих транзисторов стандартная как в даташите. Один, который выбивает (AP4410) подключен к UGATE выводу ШИМ , к LGATE подключены два AP4446 (сдвоены).
Может быть APM4410? И соответственно APM4446 (кстати, Anpec не сознается, что выпускал транзисторов APM4446)?
Транзисторы в нижнем плече живые? GPU в кз не ушел?
Сори за неточность. Не AP a AO, AO4446 и АО4410(вылетел). Даташит на AO4410 - www.dzjsw.com/cxyg/a/AO4410.pdf . Сопротивление проца, меряю между стоком AO4446(исток AO4410) и землей - около 6 Ом, столько же на рабочей ВК. Выпаял нижние AO4446 - рабочие.
Замененный ШИМ был точно рабочим?
Да , ШИМ должен быть рабочим. Пробовал еще несколько разных транзисторов , таких же, N-канальных FET-ов с доноров - результат один все вылетают и срабатывает защита БП. Вобще интересная ситуация, подумываю ради эксперимента снять с рабочей карточки такой же транзистор и ШИМ , но пока жалко. Еще поменял , на всякий случай катушку.
В таком случае надо смотреть осциллограммы, но если я правильно угадал с моделью (MSI NX7600GS-T2D256EH), то питание +12В подается на верхнее плечо непосредственно с шины PCI-E и поставить что-нибудь токоограничивающее достаточно трудно. Можно попробовать аккуратно поднять выводы стока АО4410 и между ними и платой поставить резистор номиналом около 30 Ом (мощность 5 Вт) и поглядеть осциллографом.
Кстати, еще один вопрос - резистор обратной связи живой?
Да, модель такая. Питание подаётся на сток АО4410. Могу впринципе попробовать посмотреть осциллографом на затвор АО4410, предварительно подключить резистор. Резистор - это для того что бы ток ограничить?
И еще вопрос про резитор обратной связи , это тот который идет с выхода (после катушки) на вывод FB шима? В даташите на ШИМ, схема №7 , резистор R1 , а также R4 - если вы про эти (они задают напряжение на проце) , то я их нашел , с ними все в порядке, правда не выпаивал, сопротивления 630 и 730 Ом , как на рабочей ВК.
Еще вопрос , подскажите аналоги АО4410 и АО4446 , того же IRF из недорогих. А то надо запастись для экпериментов
По аналогам не подскажу, смотрите документацию.
Посмотрел я осциллографом рабочую и нерабочую карточки, предварительно верхнее плече ШИМ запитал через резистор 12 Ом. Транзистор вместо АО4410 пробовал HAT2165H (documentation.renesas.com/eng/products/transistor/rej03g0004_hat2165h.pdf ) (заведомо рабочий , снял с донора)
Вобщем попробую описать картину:
Рабочая ВК:
Смотрел на следующих выводах ШИМ -
UGATE(верхнее плече) - импульсы от 0-12В длительностью 1мкс , период 3мкс.
LGATE(нижнее плече) - импульсы от 6-0 В длительностью 1мкс , период 3мкс.
НЕрабочая ВК !:
UGATE - импульсы от 6В до нуля не доходят , длительность примерно 5-10мкс , период -100мкс !!!
LGATE - импульсы от 0 В и где-то до 6 В , длительность очень маленькая,примерно 2-3мкс , а вот период тотже - 100мкс !!!
Вобщем, мне непонятно почему себя ведет так ШИМ.
PS: ШИМ работает, на нем поднимается уровень FS_DIS и напряжение на памяти появляется -1.8 В -норма.
Отправить комментарий