Автор: MaxAce , 1 февраля 2010
Приветствую всех.
Имеется данная плата. Поступила с жалобами на артефакты изображения встроенной видеокарты при прохождении POST и зависании на POST 25 (на клиентской POST карте).
При диагностике обнаружил заниженное питание памяти 2.1 В. Питание на память берется со стока MOSFET Q14 Infineon IPD20N03L. Выпаял, проверил, нормальный. Также был найден пробитый транзистор Q16 FDD6530A (короткое затвор-исток и сток-исток), очевидно формирует питание южного моста VIA VT8235.На его истоке было то же самое напряжение, что и на Q14 2.1 В. Транзистор сменил, напряжение повысилось до 2.38-2.4В, такое же стало и на памяти. Плата запускается, проходит POST, но не проходит MEMTEST на гарантированно рабочих планках памяти (пробовал разные). Управляет Q16 U11 RT9174. Фрагмент схемы прилагается.
По напряжениям:
Q14 G 12.1V D 2.4V S 2.4V
Q16 G 5.04 V D 3.36V S 2.4V Сопротивление истока 330Ом
Резисторы из резистивного делителя R6 (на плате R220 маркирован 63A сопротивление соответствует маркировке 442 Om) и R7 (на плате R212 маркирован 30A сопротивление 198 Om) в норме.
Вопрос, как добиться нормального питания памяти?

25
Award
Memory
Содержимое данного поля является приватным и не предназначено для показа.
О текстовых форматах

BBCode

  • HTML-теги не обрабатываются и показываются как обычный текст
  • You may use the following BBCode tags:
    • [align]
    • [b]
    • [code]
    • [color]
    • [font]
    • [hr]
    • [i]
    • [img]
    • [list]
    • [quote]
    • [s]
    • [size]
    • [spoiler]
    • [sub]
    • [sup]
    • [table]
    • [u]
    • [url]
  • Адреса веб-страниц и email-адреса преобразовываются в ссылки автоматически.

Max

16 лет назад

А с терминацией чего? В биосе питание на память не повышается?
Q16 FDD6530A на что заменили?
Напряжение терминации 1.2 В. Формирует U9 APL5331. Нет в BIOS опций по регулировке напряжения памяти, прошита самая свежая версия R1.10 с официального сайта.
Заменил на IRFR3707.
Заменил на IRFR3707
Ну вот и зря. Не поленитесь даташиты посмотреть, и найти параметр, которым они радикально отличаются.
На форуме обсуждалось не один десяток раз.
Не ленюсь я, смотрел, да видно невнимательно. Нужен транзистор с более низким Vgs(th). У FDD6530A 0.4-0.9-1.2V, у IRFR3707 1.0-3.0V. Минус мне. Буду искать более подходящий вариант.
Дело даже не в самом Vgs(th), а в Vgs, при котором транзистор близок к открытию, так сказать Vgs(on). Прямо этот параметр не указывается, но указывается Rds(on) при различных Vgs, и если в списке есть Rds(on) при Vgs=2.5V (или 2.8V) - то что нужно. Из распространенных подходят 9915, 9916 (9T16), 9918 (9T18), FDD6512A, IRFR3706, а также PHD45N03LT и PHD55N03LT, хотя для них в даташите такого параметра нет. После установки неродного транзистора в такой схеме нужно контролировать напряжение на затворе под нагрузкой, оно должно быть не выше 4.6-4.8V, для обеспечения запаса по управлению.
Спасибо за разъяснения. По FDD6530A и AP9915(16) уже нашел несколько похожих тем на форуме. Еще один минус мне.
P.S. Замеры напряжений на всех выводах RT9174 остались на работе, но точно помню, что Vdd=5V (power supply input). Если бы оно составляло 12В (что возможно согласно datasheet) то напряжение на управляющем выводе DR3(диапазон напряжений которого от -0.3 до 12V) могло бы быть более 5B, а при таком напряжении на затворе IRFR3707 в этой схеме мог бы полностью открыться и обеспечить требуемые 2.5В. Или я неправ?

Добавлено:
Нашел AP9915H, заменил. На затворе стало 4.5В. На памяти и южном мосту 2.56В.
Спасибо Dmitriy-r за пинок в правильном направлении.