Olgert , у меня: ---samsung k4j55323qi-bc14,

27 Июн 2011 - 23:25
>> 34 >> -3.92

Olgert,

Цитата:
4 не понял вопроса,память меняется только на такую-же,либо более шуструю с той же организацией, по поводу замены на память от другого производителя или другую серию того же производителя, думаю лучше думать не стоит, это скорее будет исскуство чем ремонт....

у меня:
---samsung k4j55323qi-bc14, 256Mbit корпус 136 FBGA, напряжение 1.8+-0.1, частота 700 - такой стоит на плате, про "chipset" продавецы ничего не пишут...
ебэй:
---SAMSUNG K4J52324QE-BJ1A Chipset i3307, по даташиту - 512Mbit корпус 136 FBGA, напряжение 1.9+-0.1, частота 1000
---SAMSUNG K4J52324QE-BC12 Chipset i3302, по даташиту - 512Mbit корпус 136 FBGA, напряжение 1.8+-0.1, частота 800

вопросы:
---1. Что за "chipset" имеют ввиду продавцы? (у меня нет такой информации о своей памяти)
---2. k4j55323qi-bc14 и K4J52324QE-BC12 - один(но) производитель/корпус/питание, очевидная разница только в объеме и частоте - значит на K4J52324QE-BC12 100% можно заменить ?


---3. SAMSUNG K4J52324QE-BJ1A указано напряжение 1.9+-0.1, сложно ли механически повысить напряжение на память на 0.1В ? В случае если это не возможно, будет ли память функционировать на данном напряжении? (дело в том что в даташите есть таблица с количеством операций ввода.вывода в зависимости от напряжения, так ведб там от 0.1В до 2.0В данные есть...)

igils,

Цитата:
Фигней по увеличению производительности видеоподсистемы ноутбука ни один здравомыслящий человек заниматься не будет, ноуты не для игр покупаются.

Я буду менять чип, хотел сразу взять самую хорошую замену, про чип знаю теперь что G86-731-A2 рекомендован для замены, однако с памятью не ясно, раз уж будет паяльная ИК станция и буду заказывать чипы может сразу и памяти добавлю 64 и 128 все же заманчивая разница... Насчет для игр - в ноуте есть ещё интеловский граф. чип, вот он и будет "рекорды на время" ставить) На дворе 2011, 128 метров памяти в купе с более холодным ( раз ревизия новее, значит техпроцесс стал лучше, значит сопротивление кристалла меньше и следовательно он меньше тепла будет выделять - подумал я - поправьте если неправ) кристаллом будет лучше для некоторых задач (photoshop вдруг срочно понадобится).

также повторюсь -
rom.by/comment/244322
Где есть таблица с такими характеристиками? - Откуда у автора информация о шине?

даташит самсунга 512мбайт

даташит самсунга 256мбайт

память походу не заменить:
64 Мбайт - "Bank Address Inputs: BA0, BA1 and BA2 define to which bank an Active, Read, Write or Precharge command is being applied"
32 Мбайт - "Bank Address Inputs: BA0 and BA1 define to which bank an Active, Read, Write or Precharge command is being applied"
таким не хитрым образом они все же отличаются...

правда у 32Мбайт на том месте где у 64Мбайт BA2, стоит RFM
а ниже сноска:

Цитата:
"RFM : When the MF ball is tied LOW, RFM(H10) receiver is disabled and it recommended to be driven to a static LOW state, however,
either static HIGH or floating state on this pin will not cause any problem for the DRAM. When the MF ball is tied HIGH, RAS(H3)
becomes RFM due to mirror function and the receiver is disabled. It recommended to be driven to a static LOW state, however, either
static HIGH or floating state on this pin will not cause any problem for the DRAM"

Это значит что если производитель не сделал необходимую дорожку для BA2 то 64Мбайт память в лучшем случае заработает как 32 либо вообще не заработает - я прав?

Хотя опять же - в секции MODE REGISTER SET на схеме у 32Мб не указан пин BA2 вообще, а у 64Мбайт указано BA2 -> RFU, но чуть выше написано что есть два пина RFU1 и RFU2 они так же есть и у 32Мб версии, но и у 32 и у 64 версий также написано:

Цитата:
1. RFU1 is reserved for future use
2. RFU2 is reserved for future use

Тоесть их так и не используют?

Скажите пожалуйста люди добрые)

SONY VAIO SZ71XN/C после нажатия кнопки загораются два светодиода а потом ничего.