Ugate меряли на затворе транзистора или на выводе шима? В первом приближении можно спрогнозировать неисправность шима, измерьте сопротивление между LGATE и VDDP.
Мерял и на шиме и на транзисторе, связь есть. Сопротивление между LGATE и VDDP большое МОмы. Шим уже был мною заменен на новый. Замеры на старом были ТОN - 11.95V , EN - 0.0V, LGATE - 0.0V, UGATE - 0,0 V , питание все присутствовало.
Цитата:
По причине отсутствия EN? Если да то посмотрите не является ли данный сигнал подтяжкой от напряжения питания памяти.
Контакт 2 (EN) LDO1 подтянут через группу транзисторов на EN шима памяти. LDO2 проследить не удается.
П.С. У меня есть уже одна такая же плата ( один в один ) там отвал гПУ ( артефакты были ) т.е. питания работали. При замере выводов (6 нога) с LDO1 и LDO2 сопротивления LDO1 → Мегаомы, LDO2- 167Ω в отличии от нерабочей( см. выше замеры).
Мерял и на шиме и на транзисторе, связь есть. Сопротивление между LGATE и VDDP большое МОмы. Шим уже был мною заменен на новый. Замеры на старом были ТОN - 11.95V , EN - 0.0V, LGATE - 0.0V, UGATE - 0,0 V , питание все присутствовало.
Контакт 2 (EN) LDO1 подтянут через группу транзисторов на EN шима памяти. LDO2 проследить не удается.
П.С. У меня есть уже одна такая же плата ( один в один ) там отвал гПУ ( артефакты были ) т.е. питания работали. При замере выводов (6 нога) с LDO1 и LDO2 сопротивления LDO1 → Мегаомы, LDO2- 167Ω в отличии от нерабочей( см. выше замеры).