Автор: iso , 10 июня 2012
правильно ли я подобрал замена мосфету P0903BGD
SPD50N03S2-07 (в буклете написано, что маркируется PN0307)?

datasheets attached.

вызывает сомнение разница в Vgs(th) - Gate to Source Threshold Voltage: один при 85мА, другой - при 250мА

располжение транзистора обозначено синей стрелочкой на приложенном фото (без масштабирования).

причина замены: взорвался, разлетелся на кусочки. после длительной нагрузки (проц. prescott грелся до 75 град длительное время, а место там слабопроветриваемое. скорее всего, от перегрева: когда после длительной нагрузки я его выключил, а потом остывший снова включил).


статья о подборе полевого транзистора: https://rom.by/book/Kak_podobrat_analog_polevogo_tranzistora
Содержимое данного поля является приватным и не предназначено для показа.

BBCode

  • HTML-теги не обрабатываются и показываются как обычный текст
  • You may use the following BBCode tags:
    • [align]
    • [b]
    • [code]
    • [color]
    • [font]
    • [hr]
    • [i]
    • [img]
    • [list]
    • [quote]
    • [s]
    • [size]
    • [spoiler]
    • [sub]
    • [sup]
    • [table]
    • [u]
    • [url]
  • Адреса веб-страниц и email-адреса преобразовываются в ссылки автоматически.

iso

13 лет 8 месяцев назад

А если помогать нижним подогревом (я так делаю)
у меня только паяльники...завтра выпаю. есть ли смысл мерять сопротивление с площадки стока на землю?

rzdpasha

13 лет 8 месяцев назад

завтра выпаю
ВыпаЯю. Наверное, гораздо вразумительнее будет в режиме прозвонки оценить состояние перехода D-S, т.е. оценить состояние внутреннего диода. Выпаиваем, проверяем...

iso

13 лет 8 месяцев назад

выпаял подозрительные, обозначенные в прошлых постах.

есть одинокостоящие (судя по схеме шим, это lower gate или upper gate)
Q25 - замененный, не выпаивал. сопротивление с затвора (gate) на землю 63Ом (соответствует сопротивлению между затвором и стоком или истоком) (новый транзистор уже сломался: снял его и плата запустилась с подключённым 4-пин питанием процессора и выключилась после 4 сек. удержания контактов вкл/выкл)
на двух других выпаянных (Q20 Q8) замерял с площадки затвора - 9,8 в режиме 20К (полагаю, что около 10тыс Ом). с площадок истока - 2,2Ом, со стока - не измеряется.

выпаял также два парных (рядом с замененным Q24 Q22):
с площадки затвора Q22 сопротивление 9,60 (в режиме 20К)
с площадки затвора Q24 контакта с землёй нет.
с площадок стока на землю - 2,2Ом
с площадок истока - 0,3Ом
исток-сток: 2,3Ом (это нормально? такое же сопротивление на невыпаянных (см. позиция ниже), и с ними плата запускается)

замеры с невыпаянных парных Q5 Q6 Q11 Q12) на землю:
с затвора: около 9,60 в режиме 20К
с истока 0,3Ом ; со стока 2,2Ом
исток-сток: 2,3Ом

1 транзистор Q8 проверить не удалось: сломал в процессе выпайки
у двух других между затвором и стоком или истоком сопротивление 0,3Ом (одинокий Q20 и парный Q22)
у Q24 показатели следующие: S-D: 3,6 / D-G: 7,4 / S-G: 4,2 (он целый или нет? по методике закрыть его не удалось)

замыкания через ШИМ, вроде, не выявлено (статья) (по моему скромному мнению). Но будет обидно, если, заменив транзисторы на сто рублей, работать не будет...
включил плату с выпаянными (только подозрительные и горелые) транзисторами. при подключённом 4-пин питания процессора плата включается и выключается (вентилятор работает). но новый транзистор, оказалось, уже успел сгореть (и его пришлось выпаять). По какой причине выгорел новый транзистори и как избежать этой участи при замене выпаянных транзисторов?

UPD: замерял напряжения
на одиночных: исток-сток (сток-земля) 12,5В
на затвор подаётся 1,6-1,8В

на двойных:
на истоке 1-1,1В
на затворе и стоке - 0 (ноль)

UPD2: на странице 20 руководства по ШИМ ISL6566 (приложена постами выше) нашёл (может, по этой причине замененный транзистор сгорел, что верхние два были битыми?):
When the upper MOSFET turns off, the lower MOSFET does not conduct any portion of the inductor current until the voltage at the phase node falls below ground. Once the lower MOSFET begins conducting, the current in the upper MOSFET falls to zero as the current in the lower MOSFET ramps up to assume the full inductor current.

iso

13 лет 8 месяцев назад

белыми кружочками (на картинке без масштабирования) пометил транзисторы, которые выпаяны. купил на замену пять SPD50N03S2-07 (на замену nikos P0903BDG)(потратив уже 150 рублей). сейчас поужинаю и буду паять.
если есть замечания, просьба писать, т.к. эти транзисторы для меня не лишние (особенно по деньгам).
припаивать буду не плашмя (т.к. есть только паяльники), а под 45-60 градусов. Со стока, который, как я полагаю, одновременно есть радиатор, буду ставить проволчки-подпорки. Так и охлаждение будет лучше.

maco

13 лет 8 месяцев назад

[OFF]
припаивать буду не плашмя (т.к. есть только паяльники), а под 45-60 градусов. Со стока, который, как я полагаю, одновременно есть радиатор, буду ставить проволчки-подпорки. Так и охлаждение будет лучше.
Больше похоже на анекдот :):
При ядерном взрыве нужно развернуться спиной к эпицентру, чтобы сталь со штыка не капала на казенные сапоги.[/OFF]

iso

13 лет 8 месяцев назад

это не анекдот, а ноу-хау, которым я поделился с читателями.
по существу вопроса есть что? правильно ли я думаю, что если плата запустилась (вентилятор блока питания и охлаждения платы крутятся), а на стоках есть напряжение 12,4Вольта (при выпаянных транзисторах), и плата выключается от кнопки, то ШИМ цел?

igils

13 лет 8 месяцев назад

Не правильно думаете. Самый худший (для Вас) вариант - поставите все живые транзисторы, а дохлый ШИМ благополучно откроет на всю катушку транзисторы верхнего плеча и опять здравствуй, КЗ по 12в.

maco

13 лет 8 месяцев назад

[OFF]
ноу-хау
:lol: [/OFF]

iso

13 лет 8 месяцев назад

как же быть? была идея паять постепенно. впаять 1 или два парных и ключить, проверить. потом дальше.

и где здесь верхнее плечо: там, где по парам или одиночные транзисторы?

maco

13 лет 8 месяцев назад

[OFF]
как же быть?
Хотя бы огласить сопротивления между выходами драйверов и выводами источников питания драйверов.

где здесь верхнее плечо
HGATE :D
-->, например.[/OFF]