напряжение на памяти GA-8IE2004P

С трудом сдерживая маты...
Вроде не маленький пост, подробное описание, но самого главного нет...

Какой транзистор вырабатывает питание памяти?
Тип его?
Напряжения на его выводах?
Куда уходит затвор?
И т.д...

А так вашему посту не хватает только кофейной гущи для гадания... Хотя и гадать-то там нечего, схема проста до ужаса... Но ждем-с...

Q110 - n-канальный мосфет. Сейчас стоит 9916Н (винды следы пайки, кто-то менял до меня), менять не стал, просто пропаял.
С памятью РС-3200 и с подлюченной 12В присоской
G - 2.5
D - 3
S - 2.4
без присоски
G - 2
D - 3
S - 2.5

Затвор через резистор в 1К уходит во внутренний слой (или еще куда-то, но я не нашел куда)

У вас что то со зрением, рядом с резистором Q31, это вроде 431.

Красиво. Особенно если учитывать, что Gate Threshold Voltage VGS (th) min = 0.9 V.

Поменял Q31, Q34, Q72 (431, 712, K1P) - ничего не изменилось

Нескромный вопрос - а менялось просто так или были произведены какие-либо мыслительные процессы?

Не удивлюсь, если еще есть следы на разъеме DDR от вставленной кверху ногами планки памяти... И не удивлюсь, если не на одном...
Первым делом менять транзистор, не забывая про особенности его параметров...

Не, Михаил, мыслительных процессов там всяко не было... Хотя, может они и были, но не дали результата из-за того, что автор не удосужился даже разобраться с принципами работы полевого n-MOS транзистора...

Расположение ОУ на плате ещё ни о чем не говорит. Затвор регулирующего мосфета прозвоните на схему управления. Можно и с выходами ОУ TSM104, ноги - 1,7,10,16. Это я к тому, что близлежащий TL431 может относиться совершенно к другому стабилизатору. IMHO.

2 Dmitry-r & maco:
Я - балбес, согласен:) После замены 9916Н на 9918Н наряжение на затворе поднялось до 4х вольт, вмем стало 2.5В, стабильность вернулась. А вот слотики памяти то девтвенно чистые, без прогаров и изменения цвета. Видать сдохло не от переворота планки, а само по себе (+ 1 из замененных до этого диодов все-таки был дохлый).