замена мосфету P0903BGD

правильно ли я подобрал замена мосфету P0903BGD
SPD50N03S2-07 (в буклете написано, что маркируется PN0307)?

datasheets attached.

вызывает сомнение разница в Vgs(th) - Gate to Source Threshold Voltage: один при 85мА, другой - при 250мА

располжение транзистора обозначено синей стрелочкой на приложенном фото (без масштабирования).

причина замены: взорвался, разлетелся на кусочки. после длительной нагрузки (проц. prescott грелся до 75 град длительное время, а место там слабопроветриваемое. скорее всего, от перегрева: когда после длительной нагрузки я его выключил, а потом остывший снова включил).

статья о подборе полевого транзистора: rom.by/book/Kak_podobrat_analog_polevogo_tranzistora

ВложениеРазмер
P0903BDG.pdf285.57 КБ
216-12247-0-SPD50N03S2-07-1_copy.pdf462.25 КБ
86039_2245_draft.jpg110.18 КБ

Цитата:
сопротивления между выходами драйверов и выводами источников питания драйверов
научите, пожалуйста, где это мерять?

верхнее плечо, я так понял, это там, где два транзистора, а нижнее - один.

iso писал(-а):
где это мерять?
LGATEx-GND, LGATEx-PVCCx
UGATEx-PHASEx, UGATEx-BOOTx

iso писал(-а):
верхнее плечо, я так понял, это там, где два транзистора, а нижнее - один
Я издеваюсь, конечно же, но отследить схему от HGATE (он же UGATE) достаточно просто. Прочитать предложенную тему полностью тоже достаточно просто.

LGATEx-GND = затвор одиночного мосфета - земля = 902Ом (режим 2К) (или, если переключить в режим 20К, то 9,60)
LGATEx-PVCCx = затвор одиночного мосфета - сток двойного мосфета = 9800-10тыс Ом
UGATEx-PHASEx = затвор двойного мосфета - его исток или до стока одинарного мосфета = около или больше 10 тыс Ом


UGATEx-BOOTx = пришлось позоиться. контакты на шиме очень маленькие. 1 и 3 boot с краю и с него на все завторы верхних плеч 9600 ом, а boot2 птый контакт посередине - с него на все завторы верхних плеч 12тыс ом.

UPD: UGATE это, всё же, с одним транзистором. но от перемены не мняется.
единственно, что при замере в 3й группе, где выпаяны все 3 транзистора, переключение 2K -> 20K давала перемену от 760Ом до 9тыс Ом.

UPD2: я измерял напряжение на затворе верхнего (одиночного) транзистора.
при обрисованных в приложенной картинке данных, на затворе было 1,6-1,9В т.е. он не открывает затвор польностью.

ВложениеРазмер
vgsth.jpg 23.75 КБ

Цитата:
на затворе было 1,6-1,9В т.е. он не открывает затвор польностью.
с чего такой вывод?:)

makarog, да, вы правы. но верхний транзистор сломался в том же звене, где были битые нижние транзисторы. как узнать, почему сгорел нижний транзистор? кз, как писал igils на предыдущей странице? так, ведь, всё равно система, наверное, открывает сток -> исток верхнего транзистора в начале. почему же тогда возникает кз?

(у меня есть альтернативная версия, что я перегрел транзистор, когда паял. 60ваттным паяльником надо было прижать его радиатор, чтобы он приплавился к основанию. а изначально они припаяны меньшим количеством припоя, которого почти нет. поэтому буду паять их полустоя: так и паять проще и перегрева легче избежать. мог транзистор сломаться от перегрева при пайке?

вообще эта поломка возникла из-за перегрева. prescott грелся до 74 град длительное время (несколько часов работы архиватора с процессором, загруженным на 100%). а эти транзисторы, они в плохопроветриваемом месте и, к тому же, плашмя, т.е. почти не охлаждаются.

сломались все верхние транзисторы, но через них проходит ток 12,4 вольта. а также в одном ключе нижние, но через них идёт ток 1,1В.
)

но всё равно, нужн схема, чтобы избежать или выявить возможную причину. замыкания я ни в каком направлении не нашёл. может, впаивать, как и предполагалось, по очереди. вот только с каких начать: с верхнего на целые нижние, или сначала нижние, а потом по одному верхние?

Цитата:
поэтому буду паять их полустоя: так и паять проще и перегрева легче избежать

простите, но вам же выше уже сказали, что это не know how, а ваше NO knowlol
Цитата:
но через них проходит ток 12,4 вольта. а также в одном ключе нижние, но через них идёт ток 1,1В

lol

makarog, вы, навернеое, могли заметить, что это не проблема, а просто рецепт. я паяю простыми паяльниками и даже выпаять лежачий транзистор - проблема. а паять ещё большая пролема, т.к. надо нагреть радиатор до такого состояния, чтобы начал плавиться припой под ним. а это не очень хорошо, и, как легко понять, в таком положении они плохо охлаждаются, а их интенсивная нагрузка и явилась причиной поломки.

12,4В и 1,1В были замеряны мною при включении платы с выпаянными транзисторами. что в этом смешного?

Зачем вы пытаетесь ремонтировать при отсутствии оборудования, навыков, знаний и желания понять то о чём вам тут говорят?

ИМХО, дело, скорее всего, окончится очередными сгоревшими транзисторами. Возможно это "эти транзисторы для меня не лишние (особенно по деньгам)" остановит автора от дальнейших "ноу-хау".

1,1вольта на затворе нижних транзисторов.

Поаккуратнее с выражениями, не в подворотне общаетесь. Благодаря этим людям, многие другие смогли разобраться и отремонтировать.

Отправить комментарий

Содержание этого поля является приватным и не предназначено к показу.
  • Разрешённые HTML-теги: <a> <em> <strong> <cite> <code> <ul> <ol> <li> <dl> <dt> <dd> <img>
  • You can use BBCode tags in the text. URLs will automatically be converted to links.

Подробнее о форматировании текста

Антибот - введите цифру.
Ленты новостей