Долгие попытки понять принцип работы MOSFET'а и сопутствующие маразмы

Вкурил маны небесной... и только потом стало ясно что на сорсе и на дрейне должно быть примерно то же напряжение если на гейте почти 12В.
Но в даташите
pribor-systems.ru/fromoremax/PDF/MOSFET/AP40T03GH.pdf


так и не нашёл где это можно проверить.

кроме Vgs +/- 25V ничего.

Отделено отсюда.
maco

Так это что гигабайт при включении формирует 1.8В для питания памяти а потом из них формирует 1.5В для мостов? А как он дальше напряжением на памяти будет управлять? На мостах оно ж скакать будет.
Или после перезагрузки всё устаканивается? эммм....
Ну наверно память ещё не дошла до динамической подстройки напряжения...

real-comp-master писал(-а):
Так это что гигабайт при включении формирует 1.8В для питания памяти а потом из них формирует 1.5В для мостов?
И не только Gigabyte:).

real-comp-master писал(-а):
А как он дальше напряжением на памяти будет управлять?
Как захочет:D.

real-comp-master писал(-а):
На мостах оно ж скакать будет.
С какой дури-то lol?

Цитата:
С какой дури-то lol?

А что типа если я подниму напругу до 2В в настройках, то линейник отрегулирует до 1.5В на сорсе Q289.
Ну типа да.

Первый ответ я понял так то, что "рычаг" завёрнут уже до предела (11В на гейте), а на сорсе Q289 всё ещё не 1.5В.


Тоесть регулятор "пытается регулировать" а оно не регулируется.

Единственное что осталось непонятным:
если диапазон гейт то сорс вольтажа составляет для входящих 1.8В будет 25В - (1.5В+1.0В thr) = 22.5В.
а подаётся только 11В, разница 9.5В. При этом напряжение снижается всего на 0.3В а не на 57,8% (на 1,04В, до 0.76В).
Это же "линейник". Так почему же такая "нелинейность"?

Сколько же вольт должно быть на гейте исправного мосфета чтобы в этой схеме получить из 1.8В 1.5В?

Опять real-comp-master не смог прочитать рекомендуемое lol.
Интересно, когда real-comp-master таки научится читать:D?

real-comp-master писал(-а):
Сколько же вольт должно быть на гейте исправного мосфета чтобы в этой схеме получить из 1.8В 1.5В?
Разное количество:).

Цитата:
Разное количество

В зависимости от поведения мостов?
Меня смущает то что диапазон на гейт 0-12В, вместо 0-22.5В
Тоесть мосфет полностью открыться не может.

В то же время на q287
сорс и дрейн - напряжение одинаковое.

real-comp-master писал(-а):
В зависимости от поведения мостов?
Не только, параметров много.

real-comp-master писал(-а):
Тоесть мосфет полностью открыться не может.
Попробуйте задуматься о 2 вещах:
1. Как охарактеризовать "полное открытие" реального транзистора в цифрах;
2. Зачем силовому элементу линейного стабилизатора может понадобиться "полное открытие".

Цитата:
Единственное что осталось непонятным:
если диапазон гейт то сорс вольтажа составляет для входящих 1.8В будет 25В - (1.5В+1.0В thr) = 22.5В.

Мне чего-то кажется, что это не единственное что осталось Вам непонятным.
Задумайтесь о том, что такое предельно допустимые параметры элементов,
и перечитайте Вашу ересь.

Цитата:
Задумайтесь о том, что такое предельно допустимые параметры элементов,
и перечитайте Вашу ересь.

А ну это да. Будет от до 26.5В относительно массы.

Но это не меняет ничего. БП может подать макс 12В.

Цитата:
1. Как охарактеризовать "полное открытие" реального транзистора в цифрах;

что на дрейне то и на сорсе

Цитата:
Зачем силовому элементу линейного стабилизатора может понадобиться "полное открытие".

полное может и не понадобится. а может и понадобится... полное или почти полное. напряжение 1.8В определяется ЭДС катушки. Если на памяти просядет напряжение до 1.5В то какое открытие должно быть? полное?

Цитата:
А ну это да. Будет от до 26.5В относительно массы.
Но это не меняет ничего. БП может подать макс 12В.

Да что Вы прицепились к этому предельному напряжению?
Это всего лишь максиальное напряжение, при котором еще не происходит
пробоя промежутка затвор исток/сток. При большем работоспособность не гарантируется.

PS. При желании можно без особых усилий обеспечить напряжение на затворе
выше напряжения питания.

real-comp-master писал(-а):
что на дрейне то и на сорсе
Интересно, вы читать-то умеете:):
maco писал(-а):
1. Как охарактеризовать "полное открытие" реального транзистора в цифрах;


real-comp-master писал(-а):
напряжение 1.8В определяется ЭДС катушки
Забавный бред:).

real-comp-master писал(-а):
Если на памяти просядет напряжение до 1.5В то какое открытие должно быть? полное?
Если напряжение питания DDR2 SDRAM будет в районе 1,5 В, то было бы неплохо открыть транзистор в обсуждаемом линейном стабилизаторе макисмально полно (исходя из возможностей конкретной схемы). Хотя во многих случаях это уже будет бесполезно по причине потери контекста в памяти при таком напряжении питания:).

Отправить комментарий

Содержание этого поля является приватным и не предназначено к показу.
  • Разрешённые HTML-теги: <a> <em> <strong> <cite> <code> <ul> <ol> <li> <dl> <dt> <dd> <img>
  • You can use BBCode tags in the text. URLs will automatically be converted to links.

Подробнее о форматировании текста

Антибот - введите цифру.
Ленты новостей