Выбор модификации прибора не зависит от примененных нагревателей. ИМХО, наиболее простой вариант подключения силовых цепей это выход с симисторной оптопарой. Также хорош выход для управления ТТ реле, который дает возможность подключения как ТТ реле так и его аналога на оптопаре и симисторе. Последний вариант использую сам. Так что выбор за вами.
подскажыте .
например -задана низа 150гр ,так вот где должно по правилам такая быть температура ?
-в раене места пайки(ведь там все происходит хотя размещают подальше от него нижнюю)?
-примерно в середине платы ?
-или ближе к краю ?
ведь везде она разная будет -и вот где правельнее должно быть?(не размещение термопары ,а именно заданная по профелю температура низа).
Какое расстояние от нагревательных элементов низа/верха должно быть до платы снизу/сверху?
Щас переделал низ на 3х4 лампы. Ибо 3х3 как по мне немного неравномерный прогрев, хотя всем хватает. Сделал на 12ти галогенках по 1,5КВт.
Пока в процессе переноса в корпус. До этого работало в полуфабрикатном режиме на 9ти лампах.
Планирую всю электронику впихнуть в корпус. Делать буду по LDZ схеме. Уже даже сделал разок, но по трагической случайности разбитая банка с хлорным железом съела все мои труды. (уборка блин):-(
подскажыте .
например -задана низа 150гр ,так вот где должно по правилам такая быть температура ?
-в раене места пайки(ведь там все происходит хотя размещают подальше от него нижнюю)?
-примерно в середине платы ?
-или ближе к краю ?
ведь везде она разная будет -и вот где правельнее должно быть?(не размещение термопары ,а именно заданная по профелю температура низа).
vladimersv, я так понимаю, что датчик низа закреплен на нижней стороне платы. В таком случае датчик может быть установлен в любом месте платы, НО ОБЯЗАТЕЛЬНО вне зоны действия верхнего нагревателя, т.е. подальше от чипа. При этом температура с краю платы может на 10*С быть меньше температуры в центре платы в зависимости от размера платы. Так что оптимально ставить в 5 см от края платы. Да и устанавливать с краю удобнее.
Какое расстояние от нагревательных элементов низа/верха должно быть до платы снизу/сверху?
Morelock, расстояние от нагревателя до платы зависит от требуемой скорости нагрева, от равномерности нагрева самого нагревателя и его мощности. Как по мне, при невысокой скорости нагрева, снизу 25-30 мм и сверху 30 мм. Правда вы не написали, что сверху греет.
спасибо maxlabt.
я промерял температуру просто,так вот в центре платы 170гр , на растоянии одной четвертой кпримеру от шырины платы -уже 160град.-а на растоянии 4см от края уже 150град почти .
тоесть на 5-10см температура может иметь разницу в 25-30град.
вот и заинтересовало -указанная температура в профеле - она предусмотрена по технологии именно для места пайки?или усредненная для всего низа платы?
ведь получается что ставя датчик на низ платы -всеравно получаем неточные показания-а примерные?
Правда вы не написали, что сверху греет.
ECH-3 (60 мм х 60 мм) - планируется. Пока всё ещё борюсь с платами.
И кстати - какая должна быть температура у верхнего нагревателя. 460грд хватит? Или больше? В принципе чем выше температура, тем короче излучение, что не есть гут.
Единственное что смущает, так это крайне низкое потребление этих излучателей.:-)
Вот к примеру: http://www.elcer.com.ua/infrakrasnye_nagrevateli/ir_ceramic/ech/ech3/
я промерял температуру просто,так вот в центре платы 170гр , на растоянии одной четвертой кпримеру от шырины платы -уже 160град.-а на растоянии 4см от края уже 150град почти .
Друже: ЖИ, ШИ пишется через И. А то противно читать. Это раз!
Во вторых - фото низа в студию! Может там один ТЭН стоит и греет неравномерно, что собственно и нормально.:lol:
ведь получается что ставя датчик на низ платы -всеравно получаем неточные показания-а примерные?
Конечно примерные, но нам этого вполне достаточно, так как это нижний подогрев и его задача не точное соблюдение термопрофиля, а передача достаточного количества тепла плате и равномерное распределение его по всей площади платы. А вот датчику верха необходимо точно выдерживать локальный нагрев чипа сверху согласно термопрофиля. Даже во всех требованиях к преднагреву указывается, что температура преднагрева в диапазоне 100-150 для свинца и 150-200 для бессвинца. Чем больше мы прогреем снизу, тем меньше "достанется" чипу от верхнего нагревателя.
Нашел у себя в Харькове аналогичный термоэлемент тип QFE (плоский элемент) 60 х 60 мм 250Вт под заказ - 150грн.
http://www.infrared.com.ua/Products/Infrared%20Elements/Ceramic%20Elements/Ceramic.html
Что по поводу его инерционности? Фатально ли его использование, или в принципе можно?
ECH-3 (60 мм х 60 мм) - планируется. Пока всё ещё борюсь с платами.
И кстати - какая должна быть температура у верхнего нагревателя. 460грд хватит? Или больше? В принципе чем выше температура, тем короче излучение, что не есть гут.
Единственное что смущает, так это крайне низкое потребление этих излучателей
Вот тут кроются многие проблемы. С 250 Вт-ным верхом можно работать только на расстоянии 20 мм или меньше и профили только пологие с увеличенным временем. Лучше взять кварц и переделать его на 700-800 вт хотя бы. Я уже много писал об этом. Поясню. Нам нужно для расплавления припоя передать какое-то определенное количество тепла. При равных условиях (размеры и т д.) нагреватель с мощностью 800 Вт будет значительно "холоднее", чем нагреватель с мощностью 250 Вт. Т.е. более мощный нагреватель будет давать лучший спектр и соответственно лучшие "нагревательные" свойства. Не говоря уже о его скоростных возможностях.
Кое-кто ради увеличения мощности берут нагреватели больших размеров, что также не спасает, так важна мощность на единицу площади излучения. У подобной керамики 6,5 Вт/кв.см, для сравнения у ERSA 650 около 20 Вт/ кв.см. У меня даже чуть больше.
Что по поводу его инерционности? Фатально ли его использование, или в принципе можно?
например -задана низа 150гр ,так вот где должно по правилам такая быть температура ?
-в раене места пайки(ведь там все происходит хотя размещают подальше от него нижнюю)?
-примерно в середине платы ?
-или ближе к краю ?
ведь везде она разная будет -и вот где правельнее должно быть?(не размещение термопары ,а именно заданная по профелю температура низа).
Щас переделал низ на 3х4 лампы. Ибо 3х3 как по мне немного неравномерный прогрев, хотя всем хватает. Сделал на 12ти галогенках по 1,5КВт.
Пока в процессе переноса в корпус. До этого работало в полуфабрикатном режиме на 9ти лампах.
Планирую всю электронику впихнуть в корпус. Делать буду по LDZ схеме. Уже даже сделал разок, но по трагической случайности разбитая банка с хлорным железом съела все мои труды. (уборка блин):-(
vladimersv, я так понимаю, что датчик низа закреплен на нижней стороне платы. В таком случае датчик может быть установлен в любом месте платы, НО ОБЯЗАТЕЛЬНО вне зоны действия верхнего нагревателя, т.е. подальше от чипа. При этом температура с краю платы может на 10*С быть меньше температуры в центре платы в зависимости от размера платы. Так что оптимально ставить в 5 см от края платы. Да и устанавливать с краю удобнее.
Morelock, расстояние от нагревателя до платы зависит от требуемой скорости нагрева, от равномерности нагрева самого нагревателя и его мощности. Как по мне, при невысокой скорости нагрева, снизу 25-30 мм и сверху 30 мм. Правда вы не написали, что сверху греет.
я промерял температуру просто,так вот в центре платы 170гр , на растоянии одной четвертой кпримеру от шырины платы -уже 160град.-а на растоянии 4см от края уже 150град почти .
тоесть на 5-10см температура может иметь разницу в 25-30град.
вот и заинтересовало -указанная температура в профеле - она предусмотрена по технологии именно для места пайки?или усредненная для всего низа платы?
ведь получается что ставя датчик на низ платы -всеравно получаем неточные показания-а примерные?
ECH-3 (60 мм х 60 мм) - планируется. Пока всё ещё борюсь с платами.
И кстати - какая должна быть температура у верхнего нагревателя. 460грд хватит? Или больше? В принципе чем выше температура, тем короче излучение, что не есть гут.
Единственное что смущает, так это крайне низкое потребление этих излучателей.:-)
Вот к примеру: http://www.elcer.com.ua/infrakrasnye_nagrevateli/ir_ceramic/ech/ech3/
Друже: ЖИ, ШИ пишется через И. А то противно читать. Это раз!
Во вторых - фото низа в студию! Может там один ТЭН стоит и греет неравномерно, что собственно и нормально.:lol:
Конечно примерные, но нам этого вполне достаточно, так как это нижний подогрев и его задача не точное соблюдение термопрофиля, а передача достаточного количества тепла плате и равномерное распределение его по всей площади платы. А вот датчику верха необходимо точно выдерживать локальный нагрев чипа сверху согласно термопрофиля. Даже во всех требованиях к преднагреву указывается, что температура преднагрева в диапазоне 100-150 для свинца и 150-200 для бессвинца. Чем больше мы прогреем снизу, тем меньше "достанется" чипу от верхнего нагревателя.
http://www.infrared.com.ua/Products/Infrared%20Elements/Ceramic%20Elements/Ceramic.html
Что по поводу его инерционности? Фатально ли его использование, или в принципе можно?
Вот тут кроются многие проблемы. С 250 Вт-ным верхом можно работать только на расстоянии 20 мм или меньше и профили только пологие с увеличенным временем. Лучше взять кварц и переделать его на 700-800 вт хотя бы. Я уже много писал об этом. Поясню. Нам нужно для расплавления припоя передать какое-то определенное количество тепла. При равных условиях (размеры и т д.) нагреватель с мощностью 800 Вт будет значительно "холоднее", чем нагреватель с мощностью 250 Вт. Т.е. более мощный нагреватель будет давать лучший спектр и соответственно лучшие "нагревательные" свойства. Не говоря уже о его скоростных возможностях.
Кое-кто ради увеличения мощности берут нагреватели больших размеров, что также не спасает, так важна мощность на единицу площади излучения. У подобной керамики 6,5 Вт/кв.см, для сравнения у ERSA 650 около 20 Вт/ кв.см. У меня даже чуть больше.
Можно, но с оговоренными выше ограничениями.