Я думал итоговое напряжение достигается и регулируется только изменением частоты импульсов одинаковой продолжительности.

Да вот только сегодня думал о том, что осциллографа мне уже начинает не хватать. Либо разорюсь и куплю портативный китайский. Вроде 2000 р. всего, думаю для моих целей его хватит.

YkureniY

Сопротивление по питанию памяти другими словами. Измеряй на дросселе преобразователя.

[OFF]

Тогда Ваше мнение по описанию функционирования шима из даташита, конкретно Over-Current Protection на стр.10.

1. Указан ШИМ APW7165A - в нем механизм Over-Current Protection попроще :).
2. Если рассуждать относительно APW7165, то достаточно внимательно прочитать описание:

A resistor (ROCSET), connected from the LGATE to the GND, programs the over-current trip level. Before the IC initiates a soft-start process, an internal current source, IOCSET (21.5mA typical), flowing through the ROCSET develops a voltage (VROCSET) across the ROCSET. During the normal operation, the device holds VROCSET and stops the current source, IOCSET.

и понять последнее предложение :D.
Вольный перевод:

Перед инициализацией процесса "мягкого" старта вывод LGATE используется для задания порога токовой защиты. Напряжение на резисторе ROCSET (VROCSET), полученное в этот момент, запоминается. Во время нормальной работы (процесс "мягкого" старта тоже входит в понятие нормальной работы) источник IOCSET отключается и используется запомненное значение VROCSET для сравнения с напряжением, которое снимается между выводами стока и истока транзистора в нижнем плече во время его открытого состояния.

Хотите сказать шим подает на затворы мосфетов верхнего и нижнего плеч импульсы разной амплитуды?

Да

Вообще-то зависит от точки отсчета :lol:.
Если рассматривать ситуацию с точки зрения отдельных транзисторов, то импульс на затворе транзистора в верхнем плече относительно истока транзистора в верхнем плече по амплитуде равен импульсу на затворе транзистора в нижнем плече относительно истока транзистора в нижнем плече.
Если взять общую точку отсчета - исток транзистора в нижнем плече, то импульсы будут разными по амплитуде в данной реализации схемы. Я легко изображу схему на основе APW7165 или APW7165A, в которой амплитуда импульсов на затворах транзисторов будет одинакова относительно истока транзистора в нижнем плече (входное преобразуемое напряжение должно быть меньше напряжения питания ШИМ хотя бы на 5 В). Схема будет слегка неэффективна (или эффективна и более дорога), но работать будет нормально ;).

Я думал итоговое напряжение достигается и регулируется только изменением частоты импульсов одинаковой продолжительности.

Нда, вам бы сначала расшифровать аббревиатуру ШИМ (PWM) - широтно-импульсная модуляция и поглядеть на картинки, приводимые в документации некоторых ШИМов.[/OFF]

Вообще-то зависит от точки отсчета...........................

Н...дааааа, умеете обьяснить :-)

Схема будет слегка неэффективна (или эффективна и более дорога), но работать будет нормально

Если не затруднит, изобразите пожалуйста.

А каким должно быть нормальное значение FB?

0,8В

maco

Благодарю за пояснение про защиту по току, надо было мне со словарем вчитываться. :) По поводу разной величины импульсов относительно земли докумекал пока ехал домой.

[OFF]
Если интересует эффективность, то в таком варианте увеличится Rds(on) для транзистора в верхнем плече (--> увеличиваются потери) относительно такого же транзистора, который используется в схеме с bootstrap'ной цепочкой. Разница Ugs между 12 В и 7 В не очень большая, но она есть. Можно обеспечить требуемое Rds(on) за счет установки транзистора с другими параметрами (--> небольшое удорожание).[/OFF]

maco [OFF]Спасибо.[/OFF]