почему сразу дебил?
написано
VGS(th) gate-source threshold voltage ID = 1 mA будет при температуре Tj = 25 °C и напряжении 1.3V
https://electronics.stackexchange.com/questions/195073/is-mosfet-gate-threshold-voltage-a-limit-or-minimal-full-on-switching-voltage
https://en.wikipedia.org/wiki/Threshold_voltage

напряжение открытия написано VDS = VGS
мне не понятно что это значит.
начинает открываться при 1.3, линейность начинается с 1.7 и максимум может снизить сопротивление на 2.15.
это относится и к VDS, VGS, тоесть VDS должен быть не меньше VGS, для соответствия указанным параметрам.

Ну да, я не заметил "Source-drain diode".
Но при поиске замену то бы всё равно подобрал.

Я в общем-то издеваюсь - попробуйте воспроизвести формулу рассеиваемой мощности на некотором элементе электрической цепи

а как же сопротивление?
или в сверхпроводнике тоже будет мощность рассеиваться?

При всём должном уважении,
какбэ передаваемую мощность с рассеиваемой нэ пэрэпутали???

[OFF]

почему сразу дебил?

Потому что вы несете чушь, но при этом не можете внятно обосновать свои же высказывания - "мне не понятно что это значит" (c) real-comp-master :lol:.

мне не понятно что это значит.

Учебники/документацию почитайте для приличия :).

напряжение открытия написано VDS = VGS
начинает открываться при 1.3, линейность начинается с 1.7 и максимум может снизить сопротивление на 2.15.
это относится и к VDS, VGS, тоесть VDS должен быть не меньше VGS, для соответствия указанным параметрам.

Нда, опять бред :).

а как же сопротивление?

Опять - попросил воспроизвести формулу, а в ответ мусорный текст :). Отличное поведение дебила, которому нечего сказать по сути :lol:.
Изначально:

выделение тепла происходит именно изза тока.

А после пинка real-comp-master вдруг "вспоминает"

а как же сопротивление?

Т.е. изначально подумать у real-comp-master'а не получилось, а после ускоряющего пинка хоть что-то "придумалось" :). В результате опытным путем установлено положение "думающего органа" у real-comp-master'а в районе немного ниже поясницы :lol:.

какбэ передаваемую мощность с рассеиваемой нэ пэрэпутали?

Я не перепутал, а вы - вполне возможно :). Как только у вас хватит ума воспроизвести формулу, так сразу относительно вас и будет понятно :).[/OFF]

напряжение открытия написано VDS = VGS
начинает открываться при 1.3, линейность начинается с 1.7 и максимум может снизить сопротивление на 2.15.
это относится и к VDS, VGS, тоесть VDS должен быть не меньше VGS, для соответствия указанным параметрам.
Нда, опять бред:).

Ну давайте уж конкретику, в чём именно бред?

Ну могу предположить, что
Fig 9. указана для условия что VDS = VGS
а ток дрэйна ID = 1 mA;

Таким образом могу сказать что Gate-source вольтаж удержания при 60ти градусах равен 1.5В, при этом ток дрэйн-сорса будет 1 mA.
Так правильно?
Мне непонятно поведение самого канала дрэйн-сорс мосфета, есть ли там дрэйн-сорс напряжение открытия/удержания и как оно зависит от вольтажа на гейте.

Я не перепутал, а вы - вполне возможно:). Как только у вас хватит ума воспроизвести формулу, так сразу относительно вас и будет понятно:).

да, остаётся только понять, при чём тут перегрев в при штатном токе.... или может БП по 12 вольтам напругу поднимает, интеллектуально... а мосфет завышает RdsON...

[OFF]

Ну давайте уж конкретику, в чём именно бред?

Исключительно для дебилов типа real-comp-master, которые не умеют читать и думать :).
По ссылке, которую привел real-comp-master, можно прочитать простое определение

The gate-source threshold voltage is the voltage that is required to conduct (usually) 100 uA of current into the drain. Different MOSFETs have different definitions and some devices define the threshold voltage at up to 1 mA drain current.

Можно найти и другие формулировки (по ссылке на Wikipedia, например, с картинками), но я специально использую именно ту максимально простую информацию, которую предоставил сам real-comp-master, но при этом не смог ее адекватно понять :).
V_GS(th) можно назвать "напряжением открытия" MOSFET'а с индуцированным каналом, хотя в более строгом варианте - это пороговое напряжение образования проводящего канала между стоком и истоком.
Условия I_D = 1 mA и V_DS = V_GS - не более, чем описание условий измерения для того, чтобы можно было сравнивать параметры разных транзисторов, хотя некоторые производители указывают разные значения тока, например.

начинает открываться при 1.3, линейность начинается с 1.7 и максимум может снизить сопротивление на 2.15.

1.3V, 1.7V и 2.15V - это минимальное, типовое и максимально значение параметра V_GS(th) при T_j = 25 °C для PH9025L с учетом технологического разброса :). А бред, который написал real-comp-master, годится разве что для наполнения соответствующего сборника перлов :).
Термин "напряжение удержания" для MOSFET'а вряд ли можно будет использовать :D.

да, остаётся только понять, при чём тут перегрев в при штатном токе

Вам же лень писать формулу и думать :).

или может БП по 12 вольтам напругу поднимает, интеллектуально

Нда, маразм так и прёт из real-comp-master'а :lol:.

а мосфет завышает RdsON...

Какой злобный MOSFET попался :lol:. Прям таки самоубийца :D.[/OFF]

V_GS(th) можно назвать "напряжением открытия" MOSFET'а с индуцированным каналом, хотя в более строгом варианте - это пороговое напряжение образования проводящего канала между стоком и истоком

А внезапно пояснить что такое "индуцированный канал" можно?
Да, напряжением на гейте относительно сорса.

хотя в более строгом варианте - это пороговое напряжение образования проводящего канала между стоком и истоком

Ага, вот тото и оно! Я то говорю о напряжении открытия/удержания на терминалах канала дрэйн-сорс.
Там то тоже оно есть. Или нет? Там же нет прямой проводимости, она возникает от полевого эффекта. И канал проводимости должен образоваться под воздействием напряжения и тока.
Вот это то мне и не понятно, ГДЕ эти параметры, где зависимости ИХ напряжение открытия и удержания (V_DS(th)) - от ТЕХ (V_GS(th)), от того какой заряд накачан на гейт, или от того какое напряжение V_GS(th).

1.3V, 1.7V и 2.15V - это минимальное, типовое и максимально значение параметра VGS(th) при Tj = 25 °C для PH9025L с учетом технологического разброса:).

Чиивооо? Какого разброса??? Это как?
Такой разброс?

[OFF]

А внезапно пояснить что такое "индуцированный канал" можно?

Вам настолько лень читать учебники, документацию и прочие источники :lol:?
Тупым и ленивым идиотам подаяние сегодня не предоставляется :D.

Я то говорю о напряжении открытия/удержания на терминалах канала дрэйн-сорс.

Нда, real-comp-master безнадежно туп :lol:.

Там же нет прямой проводимости, она возникает от полевого эффекта. И канал проводимости должен образоваться под воздействием напряжения и тока.

Прекрасный образец того, как real-comp-master умудряется противоречить самому себе в двух соседних предложениях :lol:.

напряжение открытия и удержания (V_DS(th))

Теперь real-comp-master решил выдумать новый параметр и вполне логично не может понять, что это такое он выдумал и зачем оно вообще нужно :lol:.

Какого разброса?

Еще раз для особо тупых - технологического разброса.
Найти, что это такое, можно без особого труда, но особо тупому и ленивому real-comp-master'у подаяния сегодня не предоставляется :D.[/OFF]

Прекрасный образец того, как real-comp-master умудряется противоречить самому себе в двух соседних предложениях lol.

Канал полупроводника и канал проводимости который возникает в канале проводника , ну какбы не одно и тоже...

Еще раз для особо тупых - технологического разброса.

технологического или температурного?
Както 1в многовато для разброса изза несовершенства технологии производства...

Теперь real-comp-master решил выдумать новый параметр

я его не выдумал, взял из видео на ютубе которое поясняет процесс.
Да конечно, напряжение в данном случае всегда 12В, но это не значит что это всегда так...

А аваланч вольтаж это получается эффект лавинообразного сброса абсорбированных электронов....

[OFF]

Канал полупроводника и канал проводимости который возникает в канале проводника , ну какбы не одно и тоже...

Канал проводимости в проводнике (а не канале проводника :)) таки присутствует согласно типовому определению проводника :lol:.
Я уже не говорю о том, что о проводниках никто и не вспоминал до вашего мусорного комментария :D.

технологического или температурного?

Для адекватных людей в документации достаточно ясно указано влияние температуры на V_GS(th) :lol:. Но тупой идиот real-comp-master не умеет читать :lol:.

я его не выдумал, взял из видео на ютубе которое поясняет процесс.

Нда, real-comp-master явно не проходит мимо каждого забора, на котором что-нибудь написано :lol:. Зато потом у него появляются отмазки типа "это не я, это мне подбросили" :D.

А аваланч вольтаж это получается эффект лавинообразного сброса абсорбированных электронов....

Нда, маразм во всей красе :). Да и рюска языка гаварыть мало-мало паламать, однако :D.[/OFF]

Канал проводимости в проводнике (а не канале проводника:)) таки присутствует согласно типовому определению проводник

Да, тут поправочка - канал полупроводника.
А там ещё и вообще ещё и изолятор есть. Так что полупроводник это ничто иное как физический канал, состоящий из весчества..., в котором возникает канал проводимости, состоящий из заряда, этого самого весчества....

Для адекватных людей в документации достаточно ясно указано влияние температуры на VGS(th)

Да, сказано, но не про технологический разброс, или как там его... может это 2 разные весчи?

[OFF]

Да, тут поправочка - канал полупроводника.

Отлично, возвращаемся к исходной точке - т.е. к вашему противоречию самому себе :D.

Да, сказано, но не про технологический разброс

Нда, демонстрация тупости real-comp-master впечатляет :D. Он таки даже рюска языка сапсем не понимай :lol:.

может это 2 разные весчи?

Сравните термины "температурный разброс параметров" и "технологический разброс параметров" и попробуйте догадаться, разные ли это вещи :lol:.[/OFF]