ECS GF7050VT-M5 калятся мосфеты по процу
Достался сабж с 3-мя выгоревшими ветками по процу. Первыми стояли APM2510N (прогорел до угля) там же сдох smd-конденсатор который стоял на стоке. Заменил все 6 питальников (резюки поменял и кондеры только там где выгорело до дыр), поставил PHD55N03 и соответственно 13N03. Обнаружил, что при старте платы все питальники начинают очень калится (палец не держит), и с ШИМа на затворы приходит сначало 2,93В, после загрузки ОС начинает приходить 2.7В и раскаляться естествено перестают. Это вообще норма для этой мамки кто в курсе? Проц используется: Celeron_D 2.66GHz.
Прошивка и настройка BIOS, переделка и ремонт материнских плат, БП, видеокарт, HDD.
ROM.by 2002-2019 © apple_rom
Rds(on)
Обратите внимание на дросселя которые стоят впослед с питанием проца они наверняка тоже греются. Если они потемневшие- проблема в них(надпись на них 1R0), межвитковое и как следствие сильный нагрев транзисторов. Была у нас партия ECS Nforce6m-a и AMD690GM-M у них стояли эти дросселя и многие приходили по гарантии с прогоревшим текстолитом. Менял катушки на обычные у которых медный провод был намотан на кольце и все проблемы исчезали.
Плата уже отдана. Думаю будет так работать. Если вернется, тогда отпишу другие параметры которые не сообщил и катушками займусь. Спасибо за инфу!
Вернётся, причём очень скоро.
Тоже попала в руки такая материнка, с греющейся одной фазой (полевики и дроссель).
Дроссель тут ни при чем (хотя все равно пробовал менять его на другой такой же - с другой фазой поменял их).
И действительно, почему-то от ШИМки на затвор одного из мосфетов этой фазы идет на 0.1В больше, чем на другие. Думал, может хоть как-то облегчить ситуацию, в это плечо допаять параллельно еще один APM2510N (но почему-то в разводке платы предусмотрено место только для дополнительного мосфета для другого плеча, которое и то пустует). Но побоялся, как поведет себя ШИМка с дополнительной входной емкостью затвора. Как думаете?
P.S. Вместо фантазий о дополнительном транзисторе IMHO проще было бы поглядеть сигналы на затворах транзисторов осциллографом.
Отправить комментарий