Ну давайте уж конкретику, в чём именно

Цитата:
напряжение открытия написано VDS = VGS
начинает открываться при 1.3, линейность начинается с 1.7 и максимум может снизить сопротивление на 2.15.
это относится и к VDS, VGS, тоесть VDS должен быть не меньше VGS, для соответствия указанным параметрам.

Нда, опять бред:).

Ну давайте уж конкретику, в чём именно бред?

Ну могу предположить, что
Fig 9. указана для условия что VDS = VGS
а ток дрэйна ID = 1 mA;

Таким образом могу сказать что Gate-source вольтаж удержания при 60ти градусах равен 1.5В, при этом ток дрэйн-сорса будет 1 mA.
Так правильно?
Мне непонятно поведение самого канала дрэйн-сорс мосфета, есть ли там дрэйн-сорс напряжение открытия/удержания и как оно зависит от вольтажа на гейте.

Цитата:
Я не перепутал, а вы - вполне возможно:). Как только у вас хватит ума воспроизвести формулу, так сразу относительно вас и будет понятно:).

да, остаётся только понять, при чём тут перегрев в при штатном токе.... или может БП по 12 вольтам напругу поднимает, интеллектуально... а мосфет завышает RdsON...

ASUS P6T WS PRO пробивает транзистор